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SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規則

日期:2023-11-18 12:44
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摘要: 舉例: SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示應用技術或者模塊結構: M——表示采用MOS技術 D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器) 100 表示集電極電流等級,條件Tcase =25℃時的Ic,單位為A G 表示IGBT開關 B 表示線路的類型或者特點: A——表示線路為單隻開...
舉(ju)例:                         SKM100GB123D
SK SK表(biao)示SEMIKRON的IGBT
 M 表示(shi)應用技術或者模塊結構:
M——表示采(cai)用(yong)MOS技術
D——表示七單元模塊(即互(hu)相整流橋+1CBT斬波(bo)器)
100 表示集電極電流(liu)等級(ji),條件Tcase =25℃時的Ic,單位為(wei)A
G 表示IGBT開關(guan)
  B 表示線(xian)路(lu)的類(lei)型(xing)或(huo)者特點:
A——表示線路為單隻開關
AL——表示線路為斬(zhan)披器模塊(即(ji)IGBT+集(ji)電極端續(xu)流二極管)
AR——表示線路為斬波器模塊(即 1GBT+發(fa)射(she)極端續流二極管)
AH——表示線路為非(fei)對稱H 橋
AX——表示線路為單隻IGBT+集電極端串聯二極管(反向阻斷(duan))
AY——表示線路為單隻(zhi)IGBT+發射極端串(chuan)聯(lian)二極管(反(fan)向阻斷)
B——表示線路為兩(liang)單元模塊(半橋(qiao))
BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向(xiang)阻斷)
D——表示線路為六(liu)單元(三相(xiang)橋)
DL——表示線路為七(qi)單元(三(san)相橋+AL斬波器)
H——表示線路為單相全橋
M——表示線路為兩隻lGBT在(zai)集電極端(duan)相連(lian)
12 表示集電極與(yu)發射極間(jian)電壓(ya)等級( VCE為型號中的數字(zi)×100,例(li)如12× 100V= 1200V= VCE)
3 表示IGBT的係列號:
0——表示第(di)1代(dai)產品(1988 ~ 1991 年,集電極額(e)定電流為Tcase =80℃時(shi)的值)
1、2——表示笫(zi)l代產(chan)品(1992~1996 年(nian),集電極額定電流為Tcase =25℃時的(de)值(zhi)。600V產品為集電極I額定電流Tcase =80℃時的(de)值(zhi)
3——表示第2代產品(600V與1200v為高密度NPT型IGBT。1700V為第1代NPT型IGBT+ CAL二極管。600V產品為集電極額定電流為Tase=80℃時的值。1200V與1700V產品為集電極額定電流為Tcase=25℃時的值
4——表示高(gao)密度、低飽和(he)壓降(jiang)NPT型IGBT( 1200V、I700V)
5——表示高密度(du)、高速NPT型lGBT(600V、1200V)
6——表示溝(gou)道式NPT型IGBT
D 表示為特(te)點:
D-表示快(kuai)速恢複(fu)二極管
K——表示SEMIKRON五(wu)號外殼帶(dai)螺(luo)栓端予
L——表示六單元外(wai)殼帶焊接(jie)端子
S——表示集電極檢(jian)測端子(zi)
I——表示加強的反向二極管(高功率輸(shu)出)
賽(sai)米(mi)控的IGBT的命(ming)名(ming)方法與規律2見(jian)表2。
舉例:          SK 100 G B 12 3×
SK SK 表示SEMIKRON的IGBT
100 表示集電極電流等級,條件Tcase= 25℃時的Ic,單位(wei)為A。
G 表示應用技術或者(zhe)模塊結構:
G——表示IGBT開關
M——表示MOSFET開關
B 表示線路的類型或者特點:
A——表示線路為單隻開莢
AL——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+集電極端續流二極管)
AR——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+發射極端續流二極管)
AH——表示線路為非對稱(cheng)H 橋
B——表示線路為兩單元模塊(半(ban)橋)
BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向阻斷)
D——表示線路為六單元(三相橋)
H——表示線路為單相全(quan)橋
12 表示集電極與發射極闖(chuang)電壓等級(VCE為絕(jue)號中的數字×100,例如1×100V =1200V= VCE.)
3 表示IGBT的係列號:
2——表示PT型(僅600V產品)
3——表示高密(mi)度NPT型產品
4——表示高密度、低(di)飽和壓降 NPT型ICBT
5——表示高密度、高速(su)NPT型IGBT
× 特點(沒有定義)