Infineon英飛淩模塊選型參考

日期：2023-11-20 07:30

瀏覽次數：2476

摘要： Infineon英飛淩模塊型號解讀 FZ：一單元模塊 FF：兩單元模塊(半橋模塊) FP：七單元模塊(功率集成模塊) FD/DF：斬波模塊 F4：四單元模塊 FS：六單元模塊 DD：二極管模塊 400：Tc=80°C時的額定電流 R：逆導型 S：快速二極管 12：額定電壓×100 KF：高頻型(主要在大模塊上使用) KL：低飽和壓降(主要在大模塊上使用) KS：短拖尾高頻型 KE：低飽和壓...

Infineon英(ying)飛(fei)淩模(mo)塊(kuai)型(xing)號(hao)解(jie)讀

FZ：一單元模塊

FF：兩單元模塊(半橋模塊)

FP：七單元模塊(功率集成(cheng)模塊)

FD/DF：斬波模塊

F4：四單元模塊

FS：六單元模塊

DD：二極管模塊

400：Tc=80°C時的額定電流

R：逆導型

S：快速二極管

12：額(e)定(ding)電壓×100

KF：高(gao)頻型(主要(yao)在(zai)大(da)模塊上使(shi)用)

KL：低(di)飽和壓降(主(zhu)要在大模塊上(shang)使用)

KS：短(duan)拖尾高頻型

KE：低飽和壓降

KT：低飽和壓降高頻型

Infineon英飛淩IGBT模塊的開關頻率

DN2係(xi)列：頻率範(fan)圍(wei)10KHZ-20KHZ，飽和壓(ya)降：2.5V-3.1V
DN2係列：頻(pin)率(lv)範圍4KHZ-8KHZ，飽(bao)和(he)壓降(jiang)：2.1V-2.4V
KS4係列：頻率範圍15KHZ-30KHZ，飽和壓降：3.2V-3.85V
KE3係列：頻率範圍4KHZ-10KHZ，飽和壓降：1.7V-2.0V
KT3係列(lie)：頻率範圍8KHZ-15KHZ，飽和壓降：1.7V-1.9V

英飛淩IGBT模塊

600V

半(ban)橋(2單元)

三(san)相(xiang)橋(6單元(yuan))

三電(dian)平(ping)模塊

H橋(4單元)

整(zheng)流橋(qiao)+三相橋(PIM)

1200V