新(xin)潔(jie)能(neng)致(zhi)力(li)於(yu)推廣性能**、質量穩定並且**價格競爭力的(de)全係列(lie)MOSFET產品。丝丝播app為(wei)電路設計師們提(ti)供(gong)**的產(chan)品選(xuan)擇，擊穿電壓(ya)覆(fu)蓋-200V至300V，配合(he)先進的封裝技術(shu)，為您提供100mA至400A的電(dian)流(liu)選擇(ze)範圍(wei)。丝丝播app專(zhuan)注於持(chi)續(xu)改進(jin)MOSFET在(zai)電能轉(zhuan)換(huan)過程中(zhong)的係統效(xiao)率(lv)和功(gong)率密度以及(ji)在苛刻(ke)環境(jing)下開(kai)關(guan)過程中的抗(kang)衝擊雪(xue)崩耐量(liang)，實(shi)現(xian)快速(su)、平穩(wen)的電源(yuan)管(guan)理及電能轉換。

通過采(cai)用(yong)先(xian)進的溝槽柵(shan)工藝技術和(he)電流通(tong)路布(bu)局結構，新潔能MOSFET實現大幅度(du)降(jiang)低電流傳(chuan)導過程(cheng)中的導通損耗(hao)。同(tong)時(shi)，電流在芯片(pian)元胞當中的流通會更加均勻(yun)穩定；應對於高頻率的開關應(ying)用，丝丝播app為設計師們(men)提供低(di)開關損(sun)耗的係列產品（產品名(ming)稱(cheng)後(hou)加標C），其有(you)效降低了柵極電荷(he)（Qg），尤(you)其是柵極(ji)漏(lou)極間(jian)的電荷（Qgd），從(cong)而在快速開關過程中降低開關功率損耗。

應對於半橋/全(quan)橋(qiao)、AC/DC電源的同步(bu)整(zheng)流以(yi)及其它(ta)需(xu)要(yao)反向(xiang)續流的應用終端(duan)，丝丝播app的MOSFET著重優(you)化(hua)了(le)Body Diode，在提高和加快反(fan)向續流能力的同時，降低反向恢複過程中的峰(feng)值電流（Irm）和電壓（Vrm）。

新潔能結(jie)合先進的封裝技術將MOSFET功率、電流和可(ke)靠(kao)性提升至新的高度，丝丝播app推(tui)出TO-220H封(feng)裝(zhuang)外(wai)形(xing)（產品名稱後加(jia)標H），有效地(di)增加了用戶(hu)在電路(lu)板裝配MOSFET的工作(zuo)效率，並降低了成(cheng)本(ben)。

• Auto MOSFET

   12-300V N-Channel Automotive MOSFET 12-150V P-Channel Automotive MOSFET

• 12-300V N MOSFET

   12-200V N-Channel Trench MOSFET 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET

• 12-150V P MOSFET

   12-150V P-Channel Trench MOSFET 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET

• 500-1050V N MOSFET

   500-800V N-Channel SJ-III MOSFET 600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET

• 12-300V NP MOSFET

   Complementary MOSFET Dual N and P-Channel MOSFET Half-bridge N-Channel MOSFET

SGT-II MOSFET

SGT-I MOSFET

SGT雙芯MOSFET

SGT半橋MOSFET

Trench MOSFET

Trench雙芯MOSFET

Trench半橋MOSFET

Super-Junction MOSFET

IGBT

PIM模塊